Факультет електроніки та інформаційних технологій (ЕлІТ)
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20
Browse
99 results
Search Results
Item Exactly solvable nonlinear model with two multiplicative Gaussian colored noises(Elsevier, 2006) Вітренко, Андрій Миколайович; Витренко, Андрей Николаевич; Vitrenko, Andrii MykolaiovychAn overdamped system with a linear restoring force and two multiplicative colored noises is considered. Noise amplitudes depend on the system state x as x and |x|^α. An exactly soluble model of a system is constructed due to consideration of a specific relation between noises. Exact expressions for the time-dependent univariate probability distribution function and the fractional moments are derived. Their long-time asymptotic behavior is investigated analytically. It is shown that anomalous diffusion and stochastic localization of particles, not subjected to a restoring force, can occur.Item Results of questionnaires on utilization of technologies of information management in the activities of regional administrations(Сумський державний університет, 2009) Любчак, Володимир Олександрович; Любчак, Владимир Александрович; Liubchak, Volodymyr OleksandrovychItem Determination of the parameters for localized states in spatially inhomogeneous semiconductor materials(Одеса «Астропринт», 2007) Колесник, Максим Миколайович; Колесник, Максим Николаевич; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Тиркусова, Надія Володимирівна; Тыркусова, Надежда Владимировна; Tyrkusova, Nadiia VolodymyrivnaДосліджено вплив неоднорідності просторового розподілу пасток у напівізолюючих матеріалах та присутності міжфазних локалізованих станів на вигляд вольт-амперних характеристик струмів обмежених просторовим зарядом. Розглянуто випадок, коли енергетичний розподіл пасток описується вузькою гаусовою функцією, в той час як просторовий розподіл має максимум густини на одному чи обох електродах. Показано, що розподіл пасток за товщиною зразка приводить до суттєвої зміни напруги повного заповнення пасток та великих похибок у визначенні дійсної концентрації локалізованих станів. Одночасно глибина залягання пасток визначається з відносно невеликою похибкою. Розраховані корегуючі коефіцієнти, які дозволяють врахувати вплив просторового розподілу пасток на параметри глибоких пасток. Проведені дослідження свідчать, що результати визначення параметрів локалізованих станів, методом вольт-амперних характеристик струмів обмежених просторовим зарядом у базових шарах багатьох напівпровідникових приладів повинні бути переглянуті з врахуванням можливої неоднорідність зразків за товщиною. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30136Item High-temperature injection spectroscopy of deep traps in CdTe polycrystalline films(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 2003) Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Опанасюк, Надія Миколаївна; Опанасюк, Надежда Николаевна; Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna; Тиркусова, Надія Володимирівна; Тыркусова, Надежда Владимировна; Tyrkusova, Nadiia VolodymyrivnaThe paper provides the direct experimental method to determine the localized state energy distribution function for semiconducting solid materials based on space-charge-limited current-voltage characteristics. The current-voltage characteristics would be obtained under the random temperatures. The Tikhonov regularization method was used to solve the Fredholm 1st rank equation. The method developed in this research was used for the study of deep traps in CdTe polycrystalline films obtained in quasi-closed-tube on the conducting substrate. In the bend gap of the material, some traps were traced, which can be described by the close to Gaussian distribution parameters as well as by the parameter of energy disorder = 0.015 0.04 åV. The research shows that the trap concentration and depend on the physical and technological conditions of the obtained films, while the energy of the traps depends on the impurity-defective material structure. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30135Item Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 2007) Косяк, Володимир Володимирович; Косяк, Владимир Владимирович; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychWith the use of expressions obtained from the “first principles”, the ensemble of point defects was calculated, and the location of a Fermi level in undoped cadmium telluride single crystals and thin films depending on physico-technological conditions of their fabrication and annealing is determined. The model in use accounts the most complete spectrum of defects in chalcogenide, including defects in the cadmium and tellurium sublattices, and the existence of an antistructural defect on the cadmium sublattice. Calculations of the concentration of neutral and charged defects are realized for two extreme cases – full equilibrium and quenching. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30134Item Investigations of surface morphology and chemical composition of Ag/ZnS/glassceramic thin-film structure(V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 2008) Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Денисенко, В.; Денисенко, В.; Denisenko, V.; Крамченков, А.; Крамченков, А.; Kramchenkov, А.; Захарець, M.; Захарец, M.; Zaharets, M.The surface morphology and chemical composition of Ag/ZnS/glassceramic thin-film system obtained by close-spaced vacuum sublimation technique under different grow conditions were investigated. Examination of surface profile and morphology was performed by scanning electron and optical microscopy. Chemical composition was studied by Rutherford back scattering method. Results of morphology studies enabled to determine dependence of the growth mechanism, roughness Ra, grain size D of ZnS layers on the growth conditions. The researches of chemical composition allowed to determine the concentration of compound elements and impurities, deviation from stoichiometry and thickness distribution of chemical elements. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30133Item Rutherford backscattering and X-ray difraction analysis of Ag/ZnS/glass multilayer system(Одеса «Астропринт», 2008) Балог, А. Г.; Балог, А. Г.; Balogh, A. G.; Дуванов, С. І.; Дуванов, С. И.; Duvanov, S. I.; Курбатов, Денис Ігорович; Курбатов, Денис Игоревич; Kurbatov, Denys Ihorovych; Опанасюк, Анатолій Сергійович; Опанасюк, Анатолий Сергеевич; Opanasiuk, Anatolii SerhiiovychВ роботі проведене дослідження профілів розподілу елементів за товщиною, структурних властивостей та шорсткості поверхні плівок ZnS в багатошаровій системі Ag/ZnS/скло. Шари сульфіду цинку в системі були отримані методом вакуумної сублімації в замкнутому об’ємі при різних температурах конденсації. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30131Item Theory of parametric superheterodyne free electron lasers(Видавництво СумДУ, 2004) Куліш, Віктор Васильович; Кулиш, Виктор Васильевич; Kulish, Viktor Vasylovych; Лисенко, Олександр Володимирович (ЕлІТ); Лысенко, Александр Владимирович (ЕлІТ); Lysenko, Oleksandr Volodymyrovych (ЕлІТ); Rombovsky, M.I.Item About application technique of the method of averaged characteristics to relativistic electronics problems(Видавництво СумДУ, 2004) Куліш, Віктор Васильович; Кулиш, Виктор Васильевич; Kulish, Viktor Vasylovych; Savchenko, V.I.Item The multiharmonic superheterodyne femtosecond free electron lasers of klystron type(Видавництво СумДУ, 2004) Куліш, Віктор Васильович; Кулиш, Виктор Васильевич; Kulish, Viktor Vasylovych; Лисенко, Олександр Володимирович (ЕлІТ); Лысенко, Александр Владимирович (ЕлІТ); Lysenko, Oleksandr Volodymyrovych (ЕлІТ); Majornikov, I.G.