Періодичні видання СумДУ
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69
Browse
13 results
Search Results
Item A Computational Study on the Modelling of the Flow Field Plates of a Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell(Sumy State University, 2024) Singh, S.; Giri, K.; Chaudhuri, A.У цьому дослідженні детально досліджується моделювання біполярних пластин, пластин поля потоку та пакетів паливних елементів прямого спиртового паливного елемента. Вирішальним компонентом паливного елемента є біполярні пластини, які подають паливо до анода та окислювач до катода, а також підтримують електричну провідність між елементами. З огляду на те, що пластини поля потоку відіграють важливу роль у розподілі газів-реагентів до реакційних центрів, моделювання пластин поля потоку виявилося досить складним через той факт, що пластини поля потоку мають бути міцними та провідними як термічно, так і електрично. Електрохімічні втрати також спостерігаються у випадках, які виникають через дифузію іонів водню та електронів, а також іноді через природний опір матеріалу. Ці втрати можна мінімізувати лише за допомогою тоншої електролітної мембрани та роботи паливного елемента при низьких температурах. Таким чином, це дослідження спрямоване на широке вивчення різних параметрів, включаючи електрохімічні та термічні параметри, шляхом обчислювального моделювання з використанням MATLAB і PYTHON, що відіграє ключову роль у впливі на потік реагентів і величину генерованого струму.Item Numerical Simulation and Performance Enhancement of CZTS Thin Film Solar Cells(Sumy State University, 2023) Zebach, M.; Hemmani, A.; Khachab, H.Розробка тонкоплівкових сонячних елементів дозволяє дослідникам оцінювати різні матеріали з метою підвищення ефективності перетворення елементів. Це особливо актуально для третього покоління сонячних фотоелектричних елементів, які включають шарові матеріали в нано- та мікрометровому масштабі, уникаючи нетоксичних і поширених у землі матеріалів із зниженими витратами на виробництво. В останні роки вчені зосередили свої дослідження на найдешевших і найстабільніших матеріалах, таких як кестерит, на основі таких елементів: мідь, цинк, олово і сірка (CZTS). Це один із найефективніших шарів поглинаючого матеріалу в тонкоплівкових сонячних елементах із прямою забороненою зоною (1,38-2,0 еВ) і високим коефіцієнтом поглинання (~ 104 см – 1). CZTS має величезний потенціал завдяки великій кількості землі, нетоксичності та низькій вартості виробництва порівняно з іншими тонкоплівковими матеріалами. Проте все ще існує кілька проблем щодо контролю вторинних фаз, композиційної однорідності, електронних дефектів і проблем нестабільності під час виготовлення, які обмежують ефективність сонячних елементів на основі CZTS і які ще потрібно подолати. У цій статті ми реалізуємо математичну модель гетеропереходу CdS-CZTS тонкоплівкового сонячного елемента. Отже, продуктивність сонячних елементів можна оцінити, змінюючи матеріал, параметри, співвідношення розмірів та інші змінні в елементах. По суті, ефективність перетворення наведена на рівні ƞ = 12,79 % результатів моделювання з використанням програмного забезпечення Matlab Simulink. Покращена ефективність перетворення, отримана завдяки нашому дослідженню моделювання, входить у діапазон експериментальних значень, досягнутих для цього типу дизайну тонкоплівкових сонячних елементів, як продемонстровано рекордно виміряною лабораторією ефективністю приблизно 12,6 % для подібної гетероперехідної клітини на основі звіту CZTS за редакцією Wei Wang та ін., тоді як теоретична максимальна ефективність перетворення для ідеальної сонячної батареї на основі CZTS оцінюється в 32,4 % відповідно до обмеження Шоклі Квейссера. Оскільки наше змодельоване значення ефективності наближається до виміряних експериментальних значень, але все ще значно нижче теоретичної межі, це свідчить про те, що подальше підвищення ефективності все ще може бути досягнуте шляхом оптимізації властивостей матеріалу та конструкції комірки.Item Effects of Boron Diffusion on Titanium Silicide Formation(Sumy State University, 2023) Karboua, H.; Dahraoui, N.; Boulakroune, M.; Fortaki, T.Метод вторинно-іонної мас-спектрометрії (ВІМС) був використаний для дослідження дифузії бору в шарах силіциду титану за кількох умов відпалювання та температури. Експериментальні профілі були змодельовані за допомогою моделі, заснованої на відомих законах Фіка та ефекті, що супроводжує дифузію бору під час силіцидації, як сегрегація та кластеризація. Порівняння результатів моделювання з літературними даними в однакових умовах відпалювання вказують на хорошу відповідність із результатами інших авторів. Це пояснює, що дифузія бору в силіциді титану залежить від сегрегації, кластеризації та перевищує розчинність твердої речовини. Моделювання базується на чисельному методі кінцевих різниць.Item The Effect of Temperature and Base Thickness on Photoelectric Parameters of Amorphous Silicon Solar Cells(Sumy State University, 2022) Gulomov, J.; Ziyoitdinov, J.; Gulomova, I.Одним із важливих завдань фотовольтаїки є конструювання гнучких сонячних елементів, стійких до впливу навколишнього середовища та призначених для покриття поверхонь різної форми. Таким чином, у дослідженні були вивчені сонячні елементи на основі аморфного кремнію. Аморфний кремній має більший коефіцієнт поглинання та ширину забороненої зони, ніж кристалічний кремній. Високий коефіцієнт поглинання доводить, що в тонких плівках можна досягти високого ККД. Згідно з отриманими результатами моделювання, максимальні значення напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД сонячного елемента на основі аморфного кремнію становили 1,2044 В; 13,49 мА/см2; 80,03 % та 12,18 % відповідно, і були досягнуті при товщинах основи 35, 20, 3 і 15 мкм відповідно. Було вивчено вплив температури на сонячний елемент на основі аморфного кремнію оптимальної товщини, оскільки аморфний кремній дуже чутливий до зовнішніх впливів, таких як інтенсивність світла та температура. Тому важливо вивчити вплив температури на властивості сонячних елементів на основі аморфного кремнію. З підвищенням температури напруга холостого ходу зменшувалася, але струм короткого замикання, коефіцієнт заповнення та ККД збільшувалися. Температурні коефіцієнти напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД становлять відповідно − 1,68×10 – 3; 2,24×10 – 3; 4,5×10 – 5 та 2,27×10 – 4 1/K.Item Influence of the Angle of Incident Light on the Performance of Textured Silicon Solar Cells(Sumy State University, 2021) Gulomov, J.; Aliev, R.Важливо знати вплив навколишнього середовища на властивості сонячних елементів, оскільки вони зазвичай використовуються у відкритих середовищах. Якщо морфологія поверхні сонячного елемента змінюється, кут падіння світла буде змінюватися залежно від його фотоелектричних властивостей. Отже, у роботі досліджувалися фотоелектричні властивості кремнієвих сонячних елементів, покритих вертикальними пірамідами з різними кутами основи, залежно від кута падіння світла. З отриманих результатів було виявлено, що при зміні кута падіння світла від 0° до 80° густини струму короткого замикання площинних, пірамідальних і текстурованих кремнієвих сонячних елементів з кутами основи пірамід 50.4° і 70.4° зменшуються до 82,6; 88,8; 89,8 %, напруги холостого ходу зменшуються до 10,5; 12,8; 14,1 %, а коефіцієнти заповнення зменшуються до 1,9; 2,2 та 3 %. ККД кремнієвого сонячного елемента, покритого пірамідами з кутом основи 70.4°, краще, ніж ККД планарних та інших текстурованих кремнієвих сонячних елементів в діапазоні кутів падіння світла від 0° до 80°, хоча залежність його фотоелектричних параметрів від кута падаючого світла зростає.Item Particle-in-cell Simulation of Processes in the Electron Gas(Sumy State University, 2021) Nikishkin, I.I.; Kholodov, R.I.Елементарні процеси взаємодії заряджених частинок в електронному пучку струмом близько 1 А вивчаються чисельно щодо проблеми електронного охолодження. Приведені результати чисельного моделювання одновимірним методом Particle-In-Cell таких процесів як розширення електронного газу, вирівнювання температур двох підсистем електронного газу, власні коливання модельного електрон-позитронного та електрон-протонного газів. У рамках методу вільний електронний газ розширюється за рахунок електростатичного відштовхування між електронами при постійний повній енергії. Модель вільного електронного газу, яка представлена модельними частинками у вигляді нескінченних пластин, також вирішується аналітично. У цьому випадку аналітично знайдені відхилення швидкості як функція часу та відстань між центрами заряду двох половин електронного газу. І це порівнюється з результатом чисельного обчислення. Якщо електронний газ представити як дві підсистеми з різною температурою, це призводить до вирівнювання температури при моделюванні. У статті розглянуто кілька випадків з різними початковими умовами та знайдено час релаксації. Результат моделювання електрон-позитронного та електрон-протонного газів показує, що їх коливання супроводжуються затуханням Ландау. Спектральний розподіл частот цих коливань показує максимуми, які відповідають теоретичним значенням.Item Numerical Simulation of Field-effect Transistor with a Channel in the Form of a Nanowire(Sumy State University, 2021) Buryk, I.P.; Holovnia, A.O.; Martynenko, I.M.; Ткач, Олена Петрівна; Ткач, Елена Петровна; Tkach, Olena Petrivna; Однодворець, Лариса Валентинівна; Однодворец, Лариса Валентиновна; Odnodvorets, Larysa ValentynivnaРобота базового функціонального елемента інтегральної схеми – польового транзистора заснована на дрейфі електронів та дірок у каналі. Із застосуванням розтягування-здавлювання кристалічної решітки кремнію Si, шляхом впровадження домішкових атомів, дещо зростає рухливість носіїв. Разом з цим значний інтерес до нанодротів на основі твердого розчину Si(Ge) як елементів для формування високоефективних каналів польових транзисторів обумовлює необхідність досліджень їх структурних, електричних та температурних характеристик. У роботі наведені результати числового моделювання коаксіальних Si-канальних транзисторних FET’s структур із затвором Gate-all-around (GAA). Структура транзистора n-типу GAA NW FET та його вольт-амперні характеристики були побудовані з використанням інструментів Silvaco TCAD. У рамках дифузійно-дрейфової моделі транспорту носіїв із врахуванням квантового потенціалу Бома отримані ефективні робочі параметри: допустимі значення порогової напруги, сили струму витоку та коефіцієнта Ion/Ioff. та їх залежності від температури. Отримано, що величини порогової напруги Vt та допорогового розкиду SS залишаються майже без змін із зростанням температури в інтервалі від 280 до 400 К, що насамперед пов’язано з додатковим впливом квантових ефектів для заданих товщини каналу та концентрацій домішок. Поряд з цим фіксується типове спадання сили струму ввімкнення на 45.5 % та струму витоку на 46.4 % в заданому інтервалі температур. Для оцінки термічної стабільності досліджуваних транзисторних систем розраховані температурні коефіцієнти βVt, βSS, βIon and βIoff. Їх величини становили відповідно 8.63.10– 5; – 0.53.10– 5; – 3.87.10– 3 and – 3.80.10– 3 K– 1. Результати чисельного моделювання показали добре узгодження з експериментальними даними.Item Economic Security Threat Modelling of a Commercial Bank in a Globalized Economy(Sumy State University, 2020) Dymchenko, О.V.; Rudachenko, О.О.; Gazzola, P.У статті розроблено комплекс моделей діагностики загроз економічної безпеки комерційного банку, який дозволяє підвищити якість формування та ухвалення рішень з управління безпечним функціонуванням та розвитком банку. Розроблена система дослідження економічної безпеки банку, яка включає в себе 3 основні блоки: блок формування інформаційного простору дослідження; оцінка й аналіз безпеки комерційного банку; узагальнення та формування рішень, щодо економічної безпеки комерційного банку. Проведене дослідження дало можливість сформулювати висновки теоретичного, методологічного та прикладного характеру, які відображають вирішення поставлених у відповідності з метою даного дослідження завдань. Побудований комплекс моделей, за допомогою сучасних інструментальних засобів економіко-математичного моделювання, дозволяє підвищити якість прийнятих рішень з управління безпекою банку та знизити ризики виникнення загроз.Item The impact of task technology fit on employee job performance(Sumy State University, 2019) Bader, A. Alyoubi; Mohammad, Ali Yousef YaminIn today’s dynamic global business economy, the use of information technology has become an essential and pervasive technique for organizational success. In this essence, the present study extends the unified theory of acceptance and use of technology with task technology fit to see how underpinned factors impact on employee intention to adopt information technology and enhance employee job performance. In order to test the proposed research model, the respondent’s observations are required. Therefore, an administrative survey was conducted towards Saudi public organizations. A survey questionnaire was distributed among middle-level managers working in HR departments of Saudi Public organizations. In response to administrative survey 398 questionnaires were returned with a response rate of 79.6%. Among 398 questionnaires 38 were discarded due to inappropriate answers and 358 questionnaires were finally used for structural equation modelling. The inclusion criterion was that HR managers must have knowledge about online services offering by respective organizations to employees. For data analysis, structural equation modelling approach was used. Results indicate that the extended the unified theory of acceptance and use of technology model has substantial power and explained 𝑅277.0% variance in employee intention to adopt the technology. The effect size analysis (𝑓2) showed that within extended model effort expectancy was the most important factor. The predictive relevance 𝑄2 of the model was also adequate. Finally, importance of performance matrix analysis suggested that managers and policymakers should focus on effort expectancy, task characteristics, technology characteristics and supervisor support to boost employee intention to adopt technology and employee job performance.Item Modelling of Vibration Sensor Based on Bimorph Structure(Sumy State University, 2019) Malinkovich, M.D.; Kubasov, I.V.; Kislyuk, A.M.; Turutin, A.V.; Bykov, A.S.; Kiselev, D.A.; Temirov, A.A.; Zhukov, R.N.; Sobolev, N.A.; Teixeira, B.M.S.; Parkhomenko, Yu.N.У дослідженні розроблена математична модель, що описує амплітудно-частотний відгук сенсора або пристрою збору скидної енергії, виготовленого з сегнетоелектричної бідоменної монокристалічної пластини, по відношенню до величини вібраційного збудження. Математична модель дозволяє прогнозувати залежність напруги на електродах від частоти і амплітуди вібраційного збудження, а також резонансної частоти сенсора, що представляє собою прямокутну пластину, в загальному випадку з сейсмічної масою на вільному кінці, який встановлюється на вібраційному столику, параметри коливань якого задаються. Складено відповідне диференційне рівняння, що описує шукані залежності, і отримано його аналітичне рішення. Для перевірки запропонованої моделі був створений монокристалічний біморф за допомогою відпалу підкладки з ніобату літію (LiNbO3) на повітрі для оберненої дифузії літію і формування бідоменної структури, що представляє собою два зустрічно поляризованих домени в одній пластині (так звана структура "голова-до-голови"). Такий кристал аналогічний біморфу, проте на відміну від нього не містить будь-яких міжфазних меж, за винятком міждоменної. Таким чином, виготовлений біморф являє собою не поширену збірну конструкцію, що складається найчастіше з металевої підкладки, до якої прикріплені п'єзоелектричні пластини, як правило, з п'єзокераміки, а однорідне безперервне середовище. Перевага такого біморфу полягає у тому, що, будучи виготовленим з сегнетоелектричного монокристала ніобату (або танталата) літію, сенсор або пристрій збору скидної енергії має великий коефіцієнт перетворення деформації згинання в електричну деформацію, а отже, високу чутливість, а також широкий температурний діапазон застосування та практично повну відсутність гістерезису і старіння. Проведено порівняння результатів моделювання з експериментальними даними, з якого випливає, що запропонована модель добре відповідає результатам експерименту. Показано, що сенсори коливань на бідоменних монокристалічних пластинах мають виключно високу чутливість. Запропонована модель дозволяє оцінювати і прогнозувати параметри сенсорів вібрації, акселерометрів і пристроїв збору скидної енергії на основі бідоменних сегнетоелектричних кристалів.