Пленки Cu2ZnSnSe4 для поглощающих слоев солнечных элементов

Abstract

С целью оптимизации структурных параметров в работе методами электронной микроскопии и рентген- дифрактометрии исследованы пленки CZTSe, полученные соиспарением компонентов соединения (Cu, Zn, Sn, и Se) с исполь- зованием ячеек Кнудсена. В результате анализа рентгеновских дифракционных картин было показано, что пленки имеют од- нофазную тетрагональную кристаллическую структуру c текстурой роста [211]. Период решетки материала изменяется в ин- тервале a = (0.56640-0.56867) нм, с = (1.13466-1.13776) нм. Полученные пленки могут быть использованы в качестве поглоща- ющих слоев высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569CZTSe films obtained by co-evaporating of compounds components (Cu, Zn, Sn, и Se) with using Knudsen cell were investigated by electron microscopy and X-ray diffractometry methods in order to optimize the structural parameters. The analysis of X-ray diffraction showed that CZTSe films have practically monophase tetragonal crystal structure and growth texture of [211] . The lattice period of the material varies in the range of a = (0.56640-0.56867) nm, c = (1.13466-1.13776) nm. Obtained films can be used as highly absorbent layers of thin film solar cells. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569