Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 Nanocrystals As Absorbers In 3rd Generation Solar Cells
dc.contributor.author | Кахерський, Станіслав Ігорович | |
dc.contributor.author | Кахерский, Станислав Игоревич | |
dc.contributor.author | Kakherskyi, Stanislav Igorevich | |
dc.contributor.author | Доброжан, Олександр Анатолійович | |
dc.contributor.author | Доброжан, Александр Анатольевич | |
dc.contributor.author | Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych | |
dc.contributor.author | Пшеничний, Роман Миколайович | |
dc.contributor.author | Пшеничный, Роман Николаевич | |
dc.contributor.author | Pshenychnyi, Roman Mykolaiovych | |
dc.contributor.author | Курбатов, Денис Ігорович | |
dc.contributor.author | Курбатов, Денис Игоревич | |
dc.contributor.author | Kurbatov, Denys Ihorovych | |
dc.contributor.author | Опанасюк, Надія Миколаївна | |
dc.contributor.author | Опанасюк, Надежда Николаевна | |
dc.contributor.author | Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna | |
dc.date.accessioned | 2020-12-11T05:59:31Z | |
dc.date.available | 2020-12-11T05:59:31Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.description.abstract | Наночастинки напівпровідникових сполук Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 були одержані за допомогою метода поліольного синтезу. Методами сканувальної мікроскопії та рентгендифрактометрії досліджені їх морфологічні і структурні властивості. Проведено порівняння особливостей росту наночастинок обох сполук. Одержані в результаті частинки були використані для створення наночорнил, що використовувались для друку поглинальних шарів сонячних перетворювачів з використанням 2d та 3d принтерів. | en_US |
dc.description.abstract | Наночастицы полупроводниковых соединений Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 были получены с помощью метода полиольного синтеза. Методами сканирующей микроскопии и рентгендифрактометрии исследованы их морфологические и структурные свойства. Проведено сравнение особенностей роста наночастиц обоих соединений. Полученные в результате частицы были использованы для создания наночернил, которые использовались для печати поглощающих слоев солнечных преобразователей с использованием 2d и 3d принтеров. | en_US |
dc.description.abstract | Cu2ZnSnS4 and Cu2ZnSnSe4 semiconductor nanocrystals were synthesized by polyol method. The morphological and structural properties were investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction methods. The nanocrystals growth behavior for both compounds were compared. Showed that the synthesized nanocrystals of the four-component compounds have a single phase structure of tetragonal modification of the kesterite type. It has been found that secondary phases are not detected in the materials with the method precision. It is established that the lattice period closest to the bulk materials of stoichiometric composition has CZTS nanocrystals synthesized at a time of 60 min and CZTSe particles obtained at a synthesis time of 30-45 min. The obtained nanocrystals were used to develop nanoinks to print absorbers of solar cells by 2d and 3d printers. | en_US |
dc.description.sponsorship | 0118U003576, 0119U100398 | en_US |
dc.identifier.citation | Kakherskyi S. I., Dobrozhan O. A., Pshenychnyi R. M., Kurbatov D. I., Opanasyuk N. M. Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 Nanocrystals As Absorbers In 3rd Generation Solar Cells // ELNANO : 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and nanotechnology, Kyiv, April 22-24, 2020. KYIV : Igor Sikorsky Kyiv polytechnic institute, 2020. P. 100. | en_US |
dc.identifier.sici | 0000-0002-2560-9379 | en |
dc.identifier.uri | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80975 | |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.publisher | Igor Sikorsky Kyiv polytechnic institute | en_US |
dc.rights.uri | inc10 | en_US |
dc.title | Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 Nanocrystals As Absorbers In 3rd Generation Solar Cells | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
- Name:
- Kakherskyi_CZTSe_nanocrystals.pdf
- Size:
- 1.47 MB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Description:
License bundle
1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
- Name:
- license.txt
- Size:
- 3.96 KB
- Format:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Description: