Browsing by Author "Onyshchenko, V.F."

Now showing 1 - 2 of 2

Effective Minority Carrier Lifetime in Double-Layer Macroporous Silicon
(Sumy State University, 2024) Onyshchenko, V.F.
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії розраховано за аналітично виведеними рівняннями. Розв’язок рівняння дифузії неосновних носіїв заряду записується для монокристалічної підкладки та шарів макропористого кремнію. Гранична умова записується для поверхонь першого шару макропористого кремнію та монокристалічної підкладки. Система семи рівнянь аналітично зводиться до двох трансцендентних рівнянь, які використовуються для розрахунку ефективного часу життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії. Проаналізована залежність ефективного часу життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії від товщини макропористого кремнію та глибини макропор кожного шару макропористого кремнію. Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в двошаровому макропористому кремнії залежить від об’ємного часу життя неосновних носіїв заряду, поверхневої рекомбінації, яка залежить від середнього діаметра макропор, середньої глибини макропор та середньої відстані між макропорами, та дифузії.
Kinetics of Excess Carrier Distribution in Bilateral Macroporous Silicon with Different Thickness of Porous Layers
(Sumy State University, 2022) Onyshchenko, V.F.
Представлена кінетика розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів. Виявлена залежність тривалості не експонентного початку релаксації розподілу концентрації надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії від товщини фронтального макропористого шару. Аналогічна залежність спостерігається в тильному макропористому шарі товщиною 200 мкм після припинення генерації надлишкових носіїв заряду світлом з довжиною хвилі 1,05 мкм. Концентрація надлишкових носіїв заряду у фронтальному макропористому шарі спадає швидко завдяки високій генерації та рекомбінації надлишкових носіїв заряду. Зменшення концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в тильному макропористому шарі товщиною 100 мкм та монокристалічній підкладці має дуже коротку не експонентну частину завдяки низькій генерації та рекомбінації надлишкових неосновних носіїв заряду, відповідно. Рівняння дифузії, записане для двостороннього макропористого кремнію, розв’язано чисельним методом. Для розв’язку використовували граничну та початкову умови. Гранична умова була записана на межах макропористих шарів. Початковий розподіл концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії у напрямку, паралельному порам, знайдений з системи рівнянь. Цей початковий розподіл розраховувався за умови освітлення макропористого кремнію світлом з довжинами хвиль 0,95 мкм та 1,05 мкм. В початковому розподілі концентрації неосновних надлишкових носіїв заряду спостерігається один або два максимуми. Два максимуми спостерігаються при освітлені двостороннього макропористого кремнію світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм.